Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8J66TB1
SH8J66TB1

SH8J66TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SH8J66&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+69.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8J66TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SH8J66TB1 за ціною від 72.49 грн до 238.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8J66TB1 SH8J66TB1 Rohm Semiconductor sh8j66tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+138.94 грн
107+132.72 грн
250+127.40 грн
500+118.42 грн
1000+106.07 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1 SH8J66TB1 Rohm Semiconductor sh8j66tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.77 грн
110+129.37 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1 SH8J66TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8J66&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.27 грн
10+141.63 грн
100+98.11 грн
500+74.61 грн
1000+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1 SH8J66TB1 Rohm Semiconductor sh8j66tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+234.18 грн
86+166.21 грн
117+120.97 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1 SH8J66TB1 Rohm Semiconductor sh8j66tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+238.55 грн
85+166.89 грн
100+163.12 грн
200+111.83 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1 SH8J66TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8J66&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch+Pch -30V -9A MOSFET
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1 SH8J66TB1 ROHM datasheet?p=SH8J66&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1 SH8J66TB1 ROHM datasheet?p=SH8J66&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1 sh8j66tb1-e.pdf
SH8J66TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
102+138.94 грн
107+132.72 грн
250+127.40 грн
500+118.42 грн
1000+106.07 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1 sh8j66tb1-e.pdf
SH8J66TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+148.77 грн
110+129.37 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1 datasheet?p=SH8J66&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8J66TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+226.27 грн
10+141.63 грн
100+98.11 грн
500+74.61 грн
1000+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1 sh8j66tb1-e.pdf
SH8J66TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+234.18 грн
86+166.21 грн
117+120.97 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1 sh8j66tb1-e.pdf
SH8J66TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+238.55 грн
85+166.89 грн
100+163.12 грн
200+111.83 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1 datasheet?p=SH8J66&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8J66TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch+Pch -30V -9A MOSFET
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1 datasheet?p=SH8J66&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8J66TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1 datasheet?p=SH8J66&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8J66TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.