Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8JB5TB1
SH8JB5TB1

SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+66.40 грн
7500+60.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SH8JB5TB1 за ціною від 68.53 грн до 240.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8JB5TB1 SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor sh8jb5tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+150.73 грн
100+143.99 грн
250+138.22 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor sh8jb5tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.63 грн
250+130.23 грн
1000+111.63 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor sh8jb5tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+162.79 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 11522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.74 грн
10+135.40 грн
50+103.87 грн
100+87.93 грн
500+71.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 SH8JB5TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+240.61 грн
10+118.58 грн
100+89.95 грн
500+75.33 грн
1000+73.86 грн
2500+68.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 SH8JB5TB1 ROHM datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 SH8JB5TB1 ROHM datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 sh8jb5tb1-e.pdf
SH8JB5TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+150.73 грн
100+143.99 грн
250+138.22 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 sh8jb5tb1-e.pdf
SH8JB5TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+151.63 грн
250+130.23 грн
1000+111.63 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 sh8jb5tb1-e.pdf
SH8JB5TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+162.79 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8JB5TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 11522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+216.74 грн
10+135.40 грн
50+103.87 грн
100+87.93 грн
500+71.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8JB5TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.61 грн
10+118.58 грн
100+89.95 грн
500+75.33 грн
1000+73.86 грн
2500+68.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8JB5TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8JB5TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.