Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8JB5TB1
SH8JB5TB1

SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+68.30 грн
5000+61.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SH8JB5TB1 за ціною від 70.90 грн до 222.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8JB5TB1 SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor sh8jb5tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.73 грн
100+143.04 грн
250+137.31 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor sh8jb5tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+150.62 грн
250+129.37 грн
1000+110.89 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor sh8jb5tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+161.71 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 6529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.40 грн
10+139.32 грн
100+96.37 грн
500+73.23 грн
1000+70.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 SH8JB5TB1 ROHM datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 SH8JB5TB1 ROHM datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 ROHM - Japan datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Bubstitute: SH8JB5TB1; SH8JB5 TSH8JB5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+135.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 sh8jb5tb1-e.pdf
SH8JB5TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+149.73 грн
100+143.04 грн
250+137.31 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 sh8jb5tb1-e.pdf
SH8JB5TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+150.62 грн
250+129.37 грн
1000+110.89 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 sh8jb5tb1-e.pdf
SH8JB5TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+161.71 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8JB5TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 6529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.40 грн
10+139.32 грн
100+96.37 грн
500+73.23 грн
1000+70.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8JB5TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8JB5TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1 datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM - Japan
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Bubstitute: SH8JB5TB1; SH8JB5 TSH8JB5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+135.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.