Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8JC5TB1
SH8JC5TB1

SH8JC5TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SH8JC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+68.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8JC5TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SH8JC5TB1 за ціною від 69.74 грн до 246.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8JC5TB1 SH8JC5TB1 Rohm Semiconductor sh8jc5tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+155.74 грн
100+148.77 грн
250+142.81 грн
500+132.74 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1 SH8JC5TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8JC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.50 грн
10+139.15 грн
100+96.25 грн
500+73.14 грн
1000+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1 SH8JC5TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8JC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+246.99 грн
10+121.73 грн
100+95.34 грн
500+77.33 грн
2500+69.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1 SH8JC5TB1 ROHM datasheet?p=SH8JC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1 SH8JC5TB1 ROHM datasheet?p=SH8JC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1 ROHM - Japan datasheet?p=SH8JC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SH8JC5TB1 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Substitute: SH8JC5TB1; TSH8JC5TB1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
4+173.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1 sh8jc5tb1-e.pdf
SH8JC5TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 7.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+155.74 грн
100+148.77 грн
250+142.81 грн
500+132.74 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1 datasheet?p=SH8JC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8JC5TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.50 грн
10+139.15 грн
100+96.25 грн
500+73.14 грн
1000+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1 datasheet?p=SH8JC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8JC5TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.99 грн
10+121.73 грн
100+95.34 грн
500+77.33 грн
2500+69.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1 datasheet?p=SH8JC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8JC5TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1 datasheet?p=SH8JC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8JC5TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1 datasheet?p=SH8JC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM - Japan
SH8JC5TB1 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Substitute: SH8JC5TB1; TSH8JC5TB1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+173.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.