SH8JE5TB1

SH8JE5TB1 ROHM Semiconductor


sh8je5tb1-e.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs SH8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 2565 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.88 грн
10+159.05 грн
100+97.11 грн
500+78.72 грн
1000+72.54 грн
2500+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8JE5TB1 ROHM Semiconductor

Description: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP.

Інші пропозиції SH8JE5TB1 за ціною від 79.32 грн до 184.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SH8JE5TB1 Виробник : Rohm Semiconductor sh8je5tb1-e.pdf Description: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+83.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1 Виробник : Rohm Semiconductor sh8je5tb1-e.pdf Description: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.63 грн
10+147.90 грн
100+117.72 грн
500+93.48 грн
1000+79.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.