
SH8JE5TB1 ROHM Semiconductor

MOSFETs SH8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 230.88 грн |
10+ | 159.05 грн |
100+ | 97.11 грн |
500+ | 78.72 грн |
1000+ | 72.54 грн |
2500+ | 69.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8JE5TB1 ROHM Semiconductor
Description: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP.
Інші пропозиції SH8JE5TB1 за ціною від 79.32 грн до 184.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SH8JE5TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SH8JE5TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|