SH8K11GZETB Rohm Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 428+ | 29.11 грн |
| 446+ | 27.94 грн |
| 500+ | 26.93 грн |
| 1000+ | 25.12 грн |
| 2500+ | 22.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8K11GZETB Rohm Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOP8; ESD, Case: SOP8, Mounting: SMD, Version: ESD, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Type of transistor: N-MOSFET x2, Gate charge: 1.9nC, On-state resistance: 0.14Ω, Power dissipation: 2W, Drain current: 3.5A, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 14A, Drain-source voltage: 30V.
Інші пропозиції SH8K11GZETB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SH8K11GZETB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOP8; ESD Case: SOP8 Mounting: SMD Version: ESD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate charge: 1.9nC On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 2W Drain current: 3.5A Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 14A Drain-source voltage: 30V |
товару немає в наявності |