Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8K25GZ0TB1
SH8K25GZ0TB1

SH8K25GZ0TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SH8K25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8K25GZ0TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SH8K25GZ0TB1 за ціною від 34.69 грн до 93.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8K25GZ0TB1 SH8K25GZ0TB1 Rohm Semiconductor sh8k25gz0tb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.2A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+40.19 грн
367+38.57 грн
500+37.18 грн
1000+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1 SH8K25GZ0TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8K25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.76 грн
10+80.89 грн
100+63.07 грн
500+48.90 грн
1000+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1 SH8K25GZ0TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8K25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 40V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 6013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1 SH8K25GZ0TB1 ROHM datasheet?p=SH8K25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1 SH8K25GZ0TB1 ROHM datasheet?p=SH8K25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1 sh8k25gz0tb-e.pdf
SH8K25GZ0TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 5.2A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
352+40.19 грн
367+38.57 грн
500+37.18 грн
1000+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1 datasheet?p=SH8K25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8K25GZ0TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.76 грн
10+80.89 грн
100+63.07 грн
500+48.90 грн
1000+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1 datasheet?p=SH8K25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8K25GZ0TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 40V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 6013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1 datasheet?p=SH8K25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8K25GZ0TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1 datasheet?p=SH8K25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8K25GZ0TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.