SH8K25GZ0TB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 40.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8K25GZ0TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SH8K25GZ0TB1 за ціною від 27.38 грн до 109.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SH8K25GZ0TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SH8K25GZ0TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
на замовлення 17463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SH8K25GZ0TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SH8K25GZ0TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs SOP8 N CHAN 40V |
на замовлення 7213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|