SH8K26GZ0TB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 42.08 грн |
10+ | 34.86 грн |
100+ | 24.13 грн |
500+ | 18.92 грн |
1000+ | 17.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8K26GZ0TB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP.
Інші пропозиції SH8K26GZ0TB за ціною від 19.01 грн до 52.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SH8K26GZ0TB | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SH8K26GZ0TB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
SH8K26GZ0TB | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |