Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8K26GZ0TB
SH8K26GZ0TB

SH8K26GZ0TB Rohm Semiconductor

sh8k26gz0tb-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.16 грн
10+34.10 грн
100+23.60 грн
500+18.51 грн
1000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8K26GZ0TB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP, Supplier Device Package: 8-SOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Power - Max: 2W (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SH8K26GZ0TB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8K26GZ0TB SH8K26GZ0TB Rohm Semiconductor sh8k26gz0tb-e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB SH8K26GZ0TB ROHM Semiconductor sh8k26gz0tb-e.pdf MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB SH8K26GZ0TB ROHM SEMICONDUCTOR sh8k26gz0tb-e.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; Idm: 12A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB sh8k26gz0tb-e.pdf
SH8K26GZ0TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB sh8k26gz0tb-e.pdf
SH8K26GZ0TB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB sh8k26gz0tb-e.pdf
SH8K26GZ0TB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; Idm: 12A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.