Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8K26GZ0TB1
SH8K26GZ0TB1

SH8K26GZ0TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8K26GZ0TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SH8K26GZ0TB1 за ціною від 28.58 грн до 138.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8K26GZ0TB1 SH8K26GZ0TB1 ROHM datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.47 грн
500+34.93 грн
1000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1 SH8K26GZ0TB1 Rohm Semiconductor sh8k26gz0tb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+53.39 грн
277+51.25 грн
500+49.40 грн
1000+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1 SH8K26GZ0TB1 Rohm Semiconductor sh8k26gz0tb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+53.39 грн
277+51.25 грн
500+49.40 грн
1000+46.08 грн
2500+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1 SH8K26GZ0TB1 ROHM datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.43 грн
13+64.03 грн
100+46.47 грн
500+34.93 грн
1000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1 SH8K26GZ0TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.52 грн
10+88.47 грн
100+68.99 грн
500+53.49 грн
1000+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1 SH8K26GZ0TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 40V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.53 грн
10+87.33 грн
100+50.81 грн
500+40.32 грн
1000+35.83 грн
2500+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1 datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8K26GZ0TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+46.47 грн
500+34.93 грн
1000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1 sh8k26gz0tb-e.pdf
SH8K26GZ0TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
266+53.39 грн
277+51.25 грн
500+49.40 грн
1000+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1 sh8k26gz0tb-e.pdf
SH8K26GZ0TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
266+53.39 грн
277+51.25 грн
500+49.40 грн
1000+46.08 грн
2500+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1 datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8K26GZ0TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+93.43 грн
13+64.03 грн
100+46.47 грн
500+34.93 грн
1000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1 datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8K26GZ0TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.52 грн
10+88.47 грн
100+68.99 грн
500+53.49 грн
1000+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1 datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8K26GZ0TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 40V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+138.53 грн
10+87.33 грн
100+50.81 грн
500+40.32 грн
1000+35.83 грн
2500+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.