SH8K32TB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP (5.0x6.0)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 57.85 грн |
| 5000+ | 53.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8K32TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SH8K32TB1 за ціною від 48.25 грн до 158.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SH8K32TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8K32TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP (5.0x6.0) Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 10565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SH8K32TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch+Nch 60V 4.5A MOSFET |
на замовлення 39589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8K32TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SH8K32TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A |
на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SH8K32TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SH8K32TB1 |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SH8K32TB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
SH8K32TB1 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |