SH8K37GZETB Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 135+ | 105.41 грн |
| 141+ | 100.69 грн |
| 250+ | 96.66 грн |
| 500+ | 89.84 грн |
| 1000+ | 80.47 грн |
| 2500+ | 74.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8K37GZETB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 1.4W (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: 8-SOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA.
Інші пропозиції SH8K37GZETB за ціною від 48.75 грн до 113.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SH8K37GZETB | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOPSupplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.4W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SH8K37GZETB | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET |
на замовлення 1945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SH8K37GZETB |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 113.91 грн |
| 10+ | 90.89 грн |
| 100+ | 72.35 грн |
| 500+ | 57.45 грн |
| 1000+ | 48.75 грн |
| SH8K37GZETB |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET
MOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)