SH8K52GZETB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 37.45 грн |
| 5000+ | 34.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8K52GZETB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції SH8K52GZETB за ціною від 35.96 грн до 101.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SH8K52GZETB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SH8K52GZETB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 9895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SH8K52GZETB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 100V Nch+Nch Power MOSFET |
на замовлення 1388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SH8K52GZETB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
