SH8KA4TB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET2 N-CH SOP8G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.47 грн |
| 10+ | 81.19 грн |
| 100+ | 63.32 грн |
| 500+ | 49.09 грн |
| 1000+ | 38.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8KA4TB1 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET2 N-CH SOP8G, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP.
Інші пропозиції SH8KA4TB1 за ціною від 32.15 грн до 95.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SH8KA4TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET |
на замовлення 4434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8KA4TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET2 N-CH SOP8G Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |