Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8KA7GZETB

SH8KA7GZETB ROHM Semiconductor

Name: SH8KA7GZETB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 4444740-4
Price: 408.94 UAH
Availability: InStock

Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs SOP8 N CHAN 30V

на замовлення 3013 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	204.47 грн
10+	133.78 грн
100+	81.12 грн
500+	65.59 грн
1000+	60.61 грн
2500+	57.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SH8KA7GZETB ROHM Semiconductor

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 15A; Idm: 30A; 4.6W; SOP8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 15A, Pulsed drain current: 30A, Power dissipation: 4.6W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 10.9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 81nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, кількість в упаковці: 2500 шт.

Інші пропозиції SH8KA7GZETB

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SH8KA7GZETB	Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 15A; Idm: 30A; 4.6W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 15A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 4.6W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SH8KA7GZETB	Виробник : Rohm Semiconductor	Description: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SH8KA7GZETB	Виробник : Rohm Semiconductor	Description: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SH8KA7GZETB	Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 15A; Idm: 30A; 4.6W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 15A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 4.6W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.