SH8KB5TB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 40V 4.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 102.29 грн |
| 10+ | 62.23 грн |
| 100+ | 41.34 грн |
| 500+ | 30.38 грн |
| 1000+ | 27.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8KB5TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SH8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SH8KB5TB1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SH8KB5TB1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 40V 4.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET |
на замовлення 2376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SH8KB5TB1 | ROHM |
Description: ROHM - SH8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
SH8KB5TB1 | ROHM |
Description: ROHM - SH8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SH8KB5TB1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 40V 4.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
MOSFETs 40V 4.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SH8KB5TB1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: ROHM - SH8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SH8KB5TB1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - SH8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)