Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8KB6TB1
SH8KB6TB1

SH8KB6TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SH8KB6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.15 грн
5000+24.71 грн
7500+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8KB6TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8KB6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SH8KB6TB1 за ціною від 20.23 грн до 135.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8KB6TB1 SH8KB6TB1 Rohm Semiconductor sh8kb6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+56.77 грн
500+44.82 грн
1000+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1 SH8KB6TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8KB6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 40V 8.5A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 3524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.26 грн
10+61.21 грн
100+35.35 грн
500+27.68 грн
1000+25.20 грн
2500+21.47 грн
5000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1 SH8KB6TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8KB6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 11647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+64.24 грн
100+42.60 грн
500+31.27 грн
1000+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1 SH8KB6TB1 ROHM sh8kb6tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8KB6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.25 грн
13+62.18 грн
100+43.33 грн
500+29.62 грн
1000+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1 SH8KB6TB1 Rohm Semiconductor sh8kb6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+135.21 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1 SH8KB6TB1 Rohm Semiconductor sh8kb6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1 sh8kb6tb1-e.pdf
SH8KB6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+56.77 грн
500+44.82 грн
1000+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1 datasheet?p=SH8KB6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8KB6TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 40V 8.5A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 3524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.26 грн
10+61.21 грн
100+35.35 грн
500+27.68 грн
1000+25.20 грн
2500+21.47 грн
5000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1 datasheet?p=SH8KB6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8KB6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 11647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.62 грн
10+64.24 грн
100+42.60 грн
500+31.27 грн
1000+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1 sh8kb6tb1-e.pdf
SH8KB6TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8KB6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+127.25 грн
13+62.18 грн
100+43.33 грн
500+29.62 грн
1000+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1 sh8kb6tb1-e.pdf
SH8KB6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
160+135.21 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1 sh8kb6tb1-e.pdf
SH8KB6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.