Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8KC5TB1
SH8KC5TB1

SH8KC5TB1 Rohm Semiconductor

sh8kc5tb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOP
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
180+79.34 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 180 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8KC5TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SH8KC5TB1 за ціною від 33.18 грн до 112.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8KC5TB1 SH8KC5TB1 Rohm Semiconductor sh8kc5tb1-e.pdf Description: 60V 3.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+67.96 грн
50+50.74 грн
100+42.38 грн
500+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC5TB1 SH8KC5TB1 ROHM sh8kc5tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC5TB1 SH8KC5TB1 Rohm Semiconductor sh8kc5tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOP
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC5TB1 SH8KC5TB1 ROHM sh8kc5tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC5TB1 sh8kc5tb1-e.pdf
SH8KC5TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 60V 3.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.09 грн
10+67.96 грн
50+50.74 грн
100+42.38 грн
500+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC5TB1 sh8kc5tb1-e.pdf
SH8KC5TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC5TB1 sh8kc5tb1-e.pdf
SH8KC5TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOP
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC5TB1 sh8kc5tb1-e.pdf
SH8KC5TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.