SH8KC5TB1

SH8KC5TB1 Rohm Semiconductor


sh8kc5tb1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOP
на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+68.65 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8KC5TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SH8KC5TB1 за ціною від 25.00 грн до 110.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SH8KC5TB1 SH8KC5TB1 Виробник : ROHM Semiconductor MOSFETs 60V 3.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.71 грн
10+69.03 грн
100+39.84 грн
500+31.48 грн
1000+28.39 грн
2500+25.98 грн
5000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC5TB1 SH8KC5TB1 Виробник : Rohm Semiconductor sh8kc5tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOP
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC5TB1 SH8KC5TB1 Виробник : ROHM 4461479.pdf Description: ROHM - SH8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC5TB1 SH8KC5TB1 Виробник : ROHM 4461479.pdf Description: ROHM - SH8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.