SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 28.59 грн |
| 5000+ | 26.06 грн |
| 7500+ | 26.04 грн |
| 12500+ | 24.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SH8KC6TB1 за ціною від 22.68 грн до 109.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SH8KC6TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SH8KC6TB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8; ESD Case: SOP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Version: ESD Gate charge: 7.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 26A Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.5A On-state resistance: 46mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8KC6TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8KC6TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
на замовлення 12569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SH8KC6TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 60V Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET |
на замовлення 14840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8KC6TB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8; ESD Case: SOP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Version: ESD Gate charge: 7.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 26A Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.5A On-state resistance: 46mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|