Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8KC6TB1
SH8KC6TB1

SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.77 грн
5000+25.69 грн
7500+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SH8KC6TB1 за ціною від 24.37 грн до 143.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor sh8kc6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.39 грн
218+65.22 грн
277+51.23 грн
500+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.18 грн
10+65.06 грн
100+43.32 грн
500+31.88 грн
1000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 60V Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.14 грн
10+69.62 грн
100+40.18 грн
500+31.55 грн
1000+28.72 грн
2500+25.68 грн
5000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 ROHM datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.17 грн
13+66.28 грн
100+46.87 грн
500+35.37 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor sh8kc6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+143.55 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 sh8kc6tb1-e.pdf
SH8KC6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
152+93.39 грн
218+65.22 грн
277+51.23 грн
500+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8KC6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.18 грн
10+65.06 грн
100+43.32 грн
500+31.88 грн
1000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8KC6TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 60V Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.14 грн
10+69.62 грн
100+40.18 грн
500+31.55 грн
1000+28.72 грн
2500+25.68 грн
5000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8KC6TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+115.17 грн
13+66.28 грн
100+46.87 грн
500+35.37 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 sh8kc6tb1-e.pdf
SH8KC6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
156+143.55 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.