Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8KC6TB1
SH8KC6TB1

SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.89 грн
5000+25.80 грн
7500+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SH8KC6TB1 за ціною від 26.10 грн до 145.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor sh8kc6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+94.85 грн
218+66.24 грн
277+52.03 грн
500+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 10698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.62 грн
10+65.33 грн
100+43.50 грн
500+32.01 грн
1000+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 60V Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+119.05 грн
10+74.57 грн
100+43.03 грн
500+33.79 грн
1000+30.76 грн
2500+27.51 грн
5000+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor sh8kc6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+145.78 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 ROHM datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 ROHM datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor sh8kc6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 sh8kc6tb1-e.pdf
SH8KC6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
152+94.85 грн
218+66.24 грн
277+52.03 грн
500+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8KC6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 10698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.62 грн
10+65.33 грн
100+43.50 грн
500+32.01 грн
1000+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8KC6TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 60V Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.05 грн
10+74.57 грн
100+43.03 грн
500+33.79 грн
1000+30.76 грн
2500+27.51 грн
5000+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 sh8kc6tb1-e.pdf
SH8KC6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
156+145.78 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8KC6TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8KC6TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1 sh8kc6tb1-e.pdf
SH8KC6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.