SH8KC7TB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.51 грн |
| 10+ | 114.32 грн |
| 100+ | 89.14 грн |
| 500+ | 69.11 грн |
| 1000+ | 54.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8KC7TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SH8KC7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.0124 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SH8KC7TB1 за ціною від 66.64 грн до 167.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SH8KC7TB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SH8KC7TB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SH8KC7TB1 | ROHM |
Description: ROHM - SH8KC7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.0124 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
SH8KC7TB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| SH8KC7TB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 105+ | 135.83 грн |
| SH8KC7TB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 85+ | 167.52 грн |
| 120+ | 118.03 грн |
| 168+ | 84.27 грн |
| 500+ | 66.64 грн |
| SH8KC7TB1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8KC7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - SH8KC7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SH8KC7TB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)