Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8KC7TB1
SH8KC7TB1

SH8KC7TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SH8KC7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.87 грн
10+ 106 грн
100+ 82.66 грн
500+ 64.08 грн
1000+ 50.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8KC7TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8KC7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.0095 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SH8KC7TB1 за ціною від 38.96 грн до 131.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SH8KC7TB1 SH8KC7TB1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8KC7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 60V N&N-CHANNEL
на замовлення 7544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.99 грн
10+ 109.24 грн
100+ 74.4 грн
500+ 61.05 грн
1000+ 48.23 грн
2500+ 45.04 грн
5000+ 44.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8KC7TB1 SH8KC7TB1 Виробник : ROHM datasheet?p=SH8KC7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8KC7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+131.15 грн
10+ 99.11 грн
100+ 73.47 грн
500+ 57.78 грн
1000+ 43.24 грн
5000+ 38.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
SH8KC7TB1 SH8KC7TB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8KC7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товар відсутній