Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8KC7TB1
SH8KC7TB1

SH8KC7TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SH8KC7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.80 грн
10+114.57 грн
100+89.34 грн
500+69.26 грн
1000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8KC7TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8KC7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.0124 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SH8KC7TB1 за ціною від 48.60 грн до 172.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8KC7TB1 SH8KC7TB1 Rohm Semiconductor sh8kc7tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+136.14 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC7TB1 SH8KC7TB1 Rohm Semiconductor sh8kc7tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.89 грн
120+118.30 грн
168+84.45 грн
500+66.79 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC7TB1 SH8KC7TB1 ROHM datasheet?p=SH8KC7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8KC7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.36 грн
10+111.14 грн
100+75.06 грн
500+55.64 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC7TB1 SH8KC7TB1 Rohm Semiconductor sh8kc7tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC7TB1 sh8kc7tb1-e.pdf
SH8KC7TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
105+136.14 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC7TB1 sh8kc7tb1-e.pdf
SH8KC7TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
85+167.89 грн
120+118.30 грн
168+84.45 грн
500+66.79 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC7TB1 datasheet?p=SH8KC7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8KC7TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8KC7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+172.36 грн
10+111.14 грн
100+75.06 грн
500+55.64 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC7TB1 sh8kc7tb1-e.pdf
SH8KC7TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.