Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8KE5TB1

SH8KE5TB1 ROHM Semiconductor

Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs SOP8 100V 2.5A N CHAN MOS

на замовлення 2433 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SH8KE5TB1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - SH8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SH8KE5TB1

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SH8KE5TB1	ROHM	Description: ROHM - SH8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	SH8KE5TB1	ROHM	Description: ROHM - SH8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C	на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн.

SH8KE5TB1

Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8KE5TB1

Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 90 шт

В кошику од. на суму грн.