на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.28 грн |
| 10+ | 119.85 грн |
| 100+ | 83.67 грн |
| 500+ | 73.32 грн |
| 2500+ | 62.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8KE6TB1 ROHM Semiconductor
Description: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active.
Інші пропозиції SH8KE6TB1 за ціною від 60.65 грн до 136.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SH8KE6TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, POPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
на замовлення 1567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SH8KE6TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
товару немає в наявності |