Продукція > ROHM > SH8KE7TB1
SH8KE7TB1

SH8KE7TB1 ROHM

Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.0161 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0161ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.31 грн
500+64.56 грн
1000+57.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8KE7TB1 ROHM

Description: ROHM - SH8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.0161 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0161ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SH8KE7TB1 за ціною від 56.84 грн до 196.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SH8KE7TB1 SH8KE7TB1 Виробник : ROHM Description: ROHM - SH8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.0161 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0161ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+189.69 грн
10+130.41 грн
100+92.31 грн
500+64.56 грн
1000+57.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE7TB1 SH8KE7TB1 Виробник : Rohm Semiconductor sh8ke7tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+192.26 грн
94+132.03 грн
100+129.55 грн
200+87.53 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE7TB1 SH8KE7TB1 Виробник : ROHM Semiconductor MOSFETs 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.40 грн
10+132.82 грн
100+81.53 грн
500+66.88 грн
1000+64.09 грн
2500+58.66 грн
5000+56.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE7TB1 SH8KE7TB1 Виробник : Rohm Semiconductor sh8ke7tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.