Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8KE7TB1
SH8KE7TB1

SH8KE7TB1 Rohm Semiconductor

sh8ke7tb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+221.65 грн
94+152.21 грн
100+149.35 грн
200+100.91 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 65 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8KE7TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.0209 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0209ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SH8KE7TB1 за ціною від 61.49 грн до 222.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8KE7TB1 SH8KE7TB1 ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor, 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 4571 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+222.33 грн
10+108.73 грн
100+82.09 грн
500+68.68 грн
1000+65.53 грн
2500+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE7TB1 SH8KE7TB1 ROHM Description: ROHM - SH8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.0209 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0209ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE7TB1 SH8KE7TB1 Rohm Semiconductor sh8ke7tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE7TB1 SH8KE7TB1 ROHM Description: ROHM - SH8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.0209 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0209ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE7TB1
SH8KE7TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 4571 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.33 грн
10+108.73 грн
100+82.09 грн
500+68.68 грн
1000+65.53 грн
2500+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE7TB1
SH8KE7TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.0209 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0209ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE7TB1 sh8ke7tb1-e.pdf
SH8KE7TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE7TB1
SH8KE7TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.0209 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0209ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.