SH8M31GZETB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 139.59 грн |
10+ | 111.11 грн |
100+ | 88.44 грн |
500+ | 70.23 грн |
1000+ | 59.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8M31GZETB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP.
Інші пропозиції SH8M31GZETB за ціною від 57.74 грн до 154.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SH8M31GZETB | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SH8M31GZETB | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |