Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8M41GZETB

SH8M41GZETB Rohm Semiconductor

Name: SH8M41GZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 5053786-3
Price: 446.46 UAH
Availability: InStock

Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 2477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	148.82 грн
10+	91.50 грн
100+	61.84 грн
500+	46.12 грн
1000+	42.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SH8M41GZETB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Not For New Designs.

Інші пропозиції SH8M41GZETB

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SH8M41GZETB	Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8 Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80/-80V Drain current: 3.4/-2.6A Pulsed drain current: 10.4...13.6A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 160/310mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.6/8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SH8M41GZETB	Виробник : Rohm Semiconductor	Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SH8M41GZETB	Виробник : ROHM Semiconductor	MOSFET 4V Drive Nch+Pch MOSFET SOP8 Nch+Pch	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SH8M41GZETB	Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8 Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80/-80V Drain current: 3.4/-2.6A Pulsed drain current: 10.4...13.6A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 160/310mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.6/8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.