SH8M41TB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 45.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8M41TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SH8M41TB1 за ціною від 38.04 грн до 175.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SH8M41TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SH8M41TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SH8M41TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch+Pch 80V/-80V 3.4A/-2.6A; MOSFET |
на замовлення 11625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SH8M41TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SH8M41TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 5780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SH8M41TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V |
на замовлення 2319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SH8M41TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SH8M41TB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
SH8M41TB1 Multi channel transistors |
на замовлення 1695 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|