Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8M41TB1
SH8M41TB1

SH8M41TB1 Rohm Semiconductor

sh8m41-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+67.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8M41TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.13 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SH8M41TB1 за ціною від 40.38 грн до 192.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8M41TB1 SH8M41TB1 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SH8M41&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 6.6/8.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.4/-2.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80/-80V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 160/310mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+134.92 грн
10+80.16 грн
100+55.02 грн
250+48.25 грн
500+44.02 грн
1000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1 SH8M41TB1 Rohm Semiconductor sh8m41-e.pdf DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+189.93 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1 SH8M41TB1 Rohm Semiconductor sh8m41-e.pdf DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+192.86 грн
115+123.24 грн
200+104.43 грн
500+80.65 грн
1000+73.33 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1 SH8M41TB1 ROHM sh8m41-e.pdf Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1 SH8M41TB1 ROHM sh8m41-e.pdf Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1 datasheet?p=SH8M41&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8M41TB1
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 6.6/8.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.4/-2.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80/-80V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 160/310mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+134.92 грн
10+80.16 грн
100+55.02 грн
250+48.25 грн
500+44.02 грн
1000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1 sh8m41-e.pdf
SH8M41TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
89+189.93 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1 sh8m41-e.pdf
SH8M41TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+192.86 грн
115+123.24 грн
200+104.43 грн
500+80.65 грн
1000+73.33 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1 sh8m41-e.pdf
SH8M41TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1 sh8m41-e.pdf
SH8M41TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.