SH8M51GZETB ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 4V Drive Nch+Pch MOSFET. SH8M51 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.
MOSFET 4V Drive Nch+Pch MOSFET. SH8M51 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 117.02 грн |
10+ | 94.72 грн |
100+ | 63.64 грн |
500+ | 54.27 грн |
1000+ | 44.24 грн |
2500+ | 41.65 грн |
5000+ | 39.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8M51GZETB ROHM Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 3/-2.5A; Idm: 10÷12A, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100/-100V, Drain current: 3/-2.5A, Pulsed drain current: 10...12A, Power dissipation: 2W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 190/340mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 8.5/12.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції SH8M51GZETB
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SH8M51GZETB | Виробник : Rohm Semiconductor | Description: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
SH8M51GZETB | Виробник : Rohm Semiconductor | Description: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
SH8M51GZETB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 3/-2.5A; Idm: 10÷12A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100/-100V Drain current: 3/-2.5A Pulsed drain current: 10...12A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 190/340mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.5/12.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||
SH8M51GZETB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 3/-2.5A; Idm: 10÷12A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100/-100V Drain current: 3/-2.5A Pulsed drain current: 10...12A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 190/340mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.5/12.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |