Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8MA3TB1
SH8MA3TB1

SH8MA3TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SH8MA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.67 грн
5000+24.69 грн
7500+23.70 грн
12500+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8MA3TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SH8MA3TB1 за ціною від 27.96 грн до 103.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8MA3TB1 SH8MA3TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8MA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
на замовлення 15472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.84 грн
10+62.91 грн
100+41.78 грн
500+30.70 грн
1000+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1 SH8MA3TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8MA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 30V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 6774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1 SH8MA3TB1 ROHM datasheet?p=SH8MA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1 SH8MA3TB1 ROHM datasheet?p=SH8MA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1 datasheet?p=SH8MA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8MA3TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
на замовлення 15472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+103.84 грн
10+62.91 грн
100+41.78 грн
500+30.70 грн
1000+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1 datasheet?p=SH8MA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8MA3TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 30V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 6774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1 datasheet?p=SH8MA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8MA3TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1 datasheet?p=SH8MA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8MA3TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.