Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8MA4TB1
SH8MA4TB1

SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor

sh8ma4tb1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.69 грн
5000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0165 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SH8MA4TB1 за ціною від 28.83 грн до 94.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 Виробник : ROHM sh8ma4tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.75 грн
500+36.32 грн
1000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 Виробник : Rohm Semiconductor sh8ma4tb1-e.pdf Description: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.87 грн
10+80.49 грн
100+62.79 грн
500+48.67 грн
1000+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 Виробник : ROHM Semiconductor sh8ma4tb1-e.pdf MOSFETs 30V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.20 грн
10+69.60 грн
100+46.03 грн
250+45.96 грн
500+37.81 грн
1000+32.52 грн
2500+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 Виробник : ROHM sh8ma4tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.81 грн
12+76.61 грн
100+53.75 грн
500+36.32 грн
1000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR sh8ma4tb1-e.pdf SH8MA4TB1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.