SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 38.04 грн |
| 5000+ | 34.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0214 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0296ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0214ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SH8MA4TB1 за ціною від 27.96 грн до 114.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SH8MA4TB1 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0214 ohmtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0296ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0214ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SH8MA4TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/8.5A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SH8MA4TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A |
на замовлення 8960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SH8MA4TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 30V Nch+Pch Power MOSFET |
на замовлення 3312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SH8MA4TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/8.5A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SH8MA4TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0214 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0296ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0214ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|