SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 38.60 грн |
| 5000+ | 35.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0165 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SH8MA4TB1 за ціною від 30.06 грн до 95.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SH8MA4TB1 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0165 ohmtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SH8MA4TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A |
на замовлення 8960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SH8MA4TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0165 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SH8MA4TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs SH8MA4TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching. |
на замовлення 4271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SH8MA4TB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
SH8MA4TB1 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |