Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8MA4TB1
SH8MA4TB1

SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor

sh8ma4tb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+37.68 грн
5000+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0214 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0296ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0214ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SH8MA4TB1 за ціною від 34.87 грн до 89.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor sh8ma4tb1-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+44.96 грн
328+43.16 грн
500+41.60 грн
1000+38.81 грн
2500+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor sh8ma4tb1-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+88.25 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor sh8ma4tb1-e.pdf Description: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.11 грн
10+76.41 грн
100+59.61 грн
500+46.21 грн
1000+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 ROHM Semiconductor sh8ma4tb1-e.pdf MOSFETs 30V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 ROHM sh8ma4tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0214 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0296ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0214ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 ROHM sh8ma4tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0214 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0296ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0214ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1 sh8ma4tb1-e.pdf
SH8MA4TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
315+44.96 грн
328+43.16 грн
500+41.60 грн
1000+38.81 грн
2500+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1 sh8ma4tb1-e.pdf
SH8MA4TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
172+88.25 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1 sh8ma4tb1-e.pdf
SH8MA4TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.11 грн
10+76.41 грн
100+59.61 грн
500+46.21 грн
1000+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1 sh8ma4tb1-e.pdf
SH8MA4TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 30V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1 sh8ma4tb1-e.pdf
SH8MA4TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0214 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0296ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0214ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1 sh8ma4tb1-e.pdf
SH8MA4TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0214 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0296ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0214ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.