Технічний опис SH8MB4TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SH8MB4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 5.5 A, 0.055 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SH8MB4TB1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SH8MB4TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 40V 4.5A/5.5A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET |
на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SH8MB4TB1 | ROHM |
Description: ROHM - SH8MB4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 5.5 A, 0.055 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SH8MB4TB1 | ROHM |
Description: ROHM - SH8MB4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 5.5 A, 0.055 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| SH8MB4TB1 |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 40V 4.5A/5.5A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
MOSFETs 40V 4.5A/5.5A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SH8MB4TB1 |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8MB4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 5.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - SH8MB4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 5.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SH8MB4TB1 |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8MB4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 5.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - SH8MB4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 5.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)