Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8MB4TB1
SH8MB4TB1

SH8MB4TB1 ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 40V 4.5A/5.5A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.55 грн
10+78.98 грн
100+45.88 грн
500+36.13 грн
1000+32.98 грн
2500+29.46 грн
5000+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8MB4TB1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - SH8MB4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 5.5 A, 0.055 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SH8MB4TB1 за ціною від 168.20 грн до 168.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8MB4TB1 SH8MB4TB1 Rohm Semiconductor sh8mb4tb1-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5.5A 8-Pin SOP
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+168.20 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB4TB1 SH8MB4TB1 ROHM Description: ROHM - SH8MB4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 5.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB4TB1 SH8MB4TB1 ROHM Description: ROHM - SH8MB4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 5.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB4TB1 sh8mb4tb1-e.pdf
SH8MB4TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5.5A 8-Pin SOP
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
85+168.20 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB4TB1
SH8MB4TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8MB4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 5.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB4TB1
SH8MB4TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8MB4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 5.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.