Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8MB5TB1
SH8MB5TB1

SH8MB5TB1 Rohm Semiconductor

sh8mb5tb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+55.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8MB5TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0168ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SH8MB5TB1 за ціною від 48.56 грн до 226.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 Rohm Semiconductor sh8mb5tb1-e.pdf Description: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.64 грн
10+97.97 грн
100+77.97 грн
500+61.91 грн
1000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 ROHM Semiconductor sh8mb5tb1-e.pdf MOSFETs Transistor, 40V Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 8016 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+177.47 грн
10+90.83 грн
100+67.94 грн
500+56.09 грн
1000+53.39 грн
2500+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 Rohm Semiconductor sh8mb5tb1-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+205.98 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 Rohm Semiconductor sh8mb5tb1-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+226.04 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 ROHM sh8mb5tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 Rohm Semiconductor sh8mb5tb1-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 ROHM sh8mb5tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1 sh8mb5tb1-e.pdf
SH8MB5TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.64 грн
10+97.97 грн
100+77.97 грн
500+61.91 грн
1000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1 sh8mb5tb1-e.pdf
SH8MB5TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, 40V Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 8016 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.47 грн
10+90.83 грн
100+67.94 грн
500+56.09 грн
1000+53.39 грн
2500+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1 sh8mb5tb1-e.pdf
SH8MB5TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+205.98 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1 sh8mb5tb1-e.pdf
SH8MB5TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+226.04 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1 sh8mb5tb1-e.pdf
SH8MB5TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1 sh8mb5tb1-e.pdf
SH8MB5TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1 sh8mb5tb1-e.pdf
SH8MB5TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.