SH8MB5TB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8MB5TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0168ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SH8MB5TB1 за ціною від 45.84 грн до 225.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SH8MB5TB1 | Rohm Semiconductor |
Description: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SH8MB5TB1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 40V Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET |
на замовлення 8016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SH8MB5TB1 | ROHM |
Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0168ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SH8MB5TB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SH8MB5TB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| SH8MB5TB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 123.48 грн |
| 10+ | 98.64 грн |
| 100+ | 78.50 грн |
| 500+ | 62.34 грн |
| 1000+ | 52.90 грн |
| SH8MB5TB1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 40V Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
MOSFETs 40V Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 8016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 149.80 грн |
| 10+ | 98.44 грн |
| 100+ | 65.31 грн |
| 500+ | 52.95 грн |
| 1000+ | 48.74 грн |
| 2500+ | 45.84 грн |
| SH8MB5TB1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 181.21 грн |
| 10+ | 107.12 грн |
| 100+ | 77.72 грн |
| 500+ | 59.61 грн |
| 1000+ | 51.09 грн |
| 5000+ | 50.26 грн |
| SH8MB5TB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 86+ | 225.04 грн |
| SH8MB5TB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)