Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8MC4TB1
SH8MC4TB1

SH8MC4TB1 Rohm Semiconductor

sh8mc4tb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, 96mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8MC4TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SH8MC4TB1 за ціною від 25.96 грн до 150.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8MC4TB1 SH8MC4TB1 ROHM 4197369.pdf Description: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.43 грн
14+59.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1 SH8MC4TB1 Rohm Semiconductor sh8mc4tb1-e.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, 96mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+64.32 грн
100+42.88 грн
500+31.62 грн
1000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1 SH8MC4TB1 ROHM Semiconductor sh8mc4tb1-e.pdf MOSFETs 60V 3.5A/4A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.78 грн
10+73.75 грн
100+42.52 грн
500+33.34 грн
1000+30.44 грн
2500+27.27 грн
5000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1 SH8MC4TB1 Rohm Semiconductor sh8mc4tb1-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/4A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+150.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1 SH8MC4TB1 ROHM 4197369.pdf Description: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1 4197369.pdf
SH8MC4TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+93.43 грн
14+59.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1 sh8mc4tb1-e.pdf
SH8MC4TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, 96mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.62 грн
10+64.32 грн
100+42.88 грн
500+31.62 грн
1000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1 sh8mc4tb1-e.pdf
SH8MC4TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 60V 3.5A/4A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.78 грн
10+73.75 грн
100+42.52 грн
500+33.34 грн
1000+30.44 грн
2500+27.27 грн
5000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1 sh8mc4tb1-e.pdf
SH8MC4TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/4A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+150.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1 4197369.pdf
SH8MC4TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.