Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8MD5HTB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SH8MD5HTB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.5 A, 3 A, 0.116 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.167ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.116ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SH8MD5HTB1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SH8MD5HTB1 | ROHM |
 Description: ROHM - SH8MD5HTB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.5 A, 3 A, 0.116 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.167ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.116ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
SH8MD5HTB1 | ROHM |
Description: ROHM - SH8MD5HTB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.5 A, 3 A, 0.116 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SH8MD5HTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 80V 3.5A/3A 8-Pin SOP |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SH8MD5HTB1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8MD5HTB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.5 A, 3 A, 0.116 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.167ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - SH8MD5HTB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.5 A, 3 A, 0.116 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.167ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SH8MD5HTB1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8MD5HTB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.5 A, 3 A, 0.116 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ROHM - SH8MD5HTB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.5 A, 3 A, 0.116 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SH8MD5HTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 80V 3.5A/3A 8-Pin SOP
Trans MOSFET N/P-CH 80V 3.5A/3A 8-Pin SOP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)