SI2129DW-TP Micro Commercial Co
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DUAL P-CHANNEL MOSFET,SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 243mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.56 грн |
| 13+ | 24.89 грн |
| 100+ | 14.09 грн |
| 500+ | 8.75 грн |
| 1000+ | 6.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2129DW-TP Micro Commercial Co
Description: DUAL P-CHANNEL MOSFET,SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 243mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI2129DW-TP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2129DW-TP | Micro Commercial Co |
Description: DUAL P-CHANNEL MOSFET,SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 243mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SI2129DW-TP | Micro Commercial Components (MCC) |
MOSFETs |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI2129DW-TP |
|
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DUAL P-CHANNEL MOSFET,SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 243mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Description: DUAL P-CHANNEL MOSFET,SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 243mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SI2129DW-TP |
|
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs
MOSFETs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.