Продукція > MICRO COMMERCIAL CO > SI2129DW-TP
SI2129DW-TP

SI2129DW-TP Micro Commercial Co

SI2129DW(SOT-363).pdf Виробник: Micro Commercial Co
Description: DUAL P-CHANNEL MOSFET,SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 243mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
13+25.21 грн
100+14.27 грн
500+8.87 грн
1000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2129DW-TP Micro Commercial Co

Description: DUAL P-CHANNEL MOSFET,SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 243mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI2129DW-TP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2129DW-TP Виробник : Micro Commercial Components SI2129DW(SOT-363).pdf SI2129DW-TP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2129DW-TP SI2129DW-TP Виробник : Micro Commercial Co SI2129DW(SOT-363).pdf Description: DUAL P-CHANNEL MOSFET,SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 243mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2129DW-TP SI2129DW-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) SI2129DW_SOT_363_-3423239.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.