SI2301A-TP

SI2301A-TP Micro Commercial Components


si2301asot-23.pdf Виробник: Micro Commercial Components
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2301A-TP Micro Commercial Components

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2301A-TP за ціною від 6.57 грн до 36.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2301A-TP SI2301A-TP Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI2301A(SOT-23).pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -10A
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.46 грн
21+18.58 грн
100+10.86 грн
129+6.96 грн
354+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A-TP SI2301A-TP Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI2301A(SOT-23).pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.55 грн
13+23.15 грн
100+13.03 грн
129+8.35 грн
354+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A-TP SI2301A-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) SI2301A_SOT_23_-3370152.pdf MOSFETs P-Ch -20Vds -2.8A 8Vgs -10A 1.0W
на замовлення 16748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.65 грн
14+24.31 грн
100+11.16 грн
1000+9.61 грн
3000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A-TP
Код товару: 210892
Додати до обраних Обраний товар

SI2301A(SOT-23).pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A-TP SI2301A-TP Виробник : Micro Commercial Components si2301asot-23.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A-TP SI2301A-TP Виробник : MCC (Micro Commercial Components) SI2301A(SOT-23).pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A-TP SI2301A-TP Виробник : MCC (Micro Commercial Components) SI2301A(SOT-23).pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.