SI2301A-TP Micro Commercial Components
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2301A-TP Micro Commercial Components
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2301A-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції SI2301A-TP за ціною від 7.10 грн до 49.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2301A-TP | Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2301A-TP | Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 885 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2301A-TP | Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2301A-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2301A-TP | Виробник : Micro Commercial Components (MCC) |
MOSFETs P-Ch -20Vds -2.8A 8Vgs -10A 1.0W |
на замовлення 8315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2301A-TP | Виробник : Micro Computer Control |
SI2301A-TP |
на замовлення 498000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI2301A-TP | Виробник : Micro Computer Control |
SI2301A-TP |
на замовлення 900000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
SI2301A-TP Код товару: 210892
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
SI2301A-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI2301A-TP | Виробник : MCC (Micro Commercial Components) |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 6 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2301A-TP | Виробник : MCC (Micro Commercial Components) |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 6 V |
товару немає в наявності |