Продукція > VISHAY > SI2303BDS-T1-E3

SI2303BDS-T1-E3 VISHAY

Виробник: VISHAY

на замовлення 81200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис SI2303BDS-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.49A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2303BDS-T1-E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI2303BDST1E3	Виробник : VISHAY		на замовлення 117100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI2303BDS-T1-E3	Виробник : VISHAY	09+	на замовлення 75018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI2303BDS-T1-E3	Виробник : VISHAY	SOT23	на замовлення 1812000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI2303BDS-T1-E3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET P-CH 30V 1.49A 3-Pin SOT-23 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI2303BDS-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.49A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 15 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI2303BDS-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.49A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 15 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.