SI2304DS,215 Nexperia USA Inc.
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 21972.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2304DS,215 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 830mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-236AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI2304DS,215
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2304DS,215 | Виробник : NEXPERIA |
 Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
SI2304DS,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
SI2304DS,215 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|
 |
SI2304DS,215 | Виробник : Nexperia |
MOSFET TAPE-7 MOSFET |
товару немає в наявності |