Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SI2305B-TP

SI2305B-TP

SI2305B(SOT-23).pdf
Код товару: 210411
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2305B-TP за ціною від 5.51 грн до 32.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI2305B-TP SI2305B-TP MCC (Micro Commercial Components) SI2305B(SOT-23).pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.69 грн
6000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TP SI2305B-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI2305B.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -4.2A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 738 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.33 грн
23+18.83 грн
28+15.27 грн
75+11.96 грн
100+11.20 грн
500+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TP SI2305B-TP MCC (Micro Commercial Components) SI2305B(SOT-23).pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
на замовлення 7084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.92 грн
17+18.25 грн
100+11.51 грн
500+8.06 грн
1000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TP SI2305B-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) 4639821.pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2305B-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.97 грн
41+20.31 грн
100+12.91 грн
500+9.01 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TP Micro Commercial Components Corp. SI2305B(SOT-23).pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C~150°C; SI2305B-TP-HF; SI2305B-13P; SI2305B-TP TSI2305b-tp MCC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TP SI2305B(SOT-23).pdf
SI2305B-TP
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.69 грн
6000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TP SI2305B.pdf
SI2305B-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -4.2A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 738 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
16+30.33 грн
23+18.83 грн
28+15.27 грн
75+11.96 грн
100+11.20 грн
500+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TP SI2305B(SOT-23).pdf
SI2305B-TP
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
на замовлення 7084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.92 грн
17+18.25 грн
100+11.51 грн
500+8.06 грн
1000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TP 4639821.pdf
SI2305B-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2305B-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+32.97 грн
41+20.31 грн
100+12.91 грн
500+9.01 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TP SI2305B(SOT-23).pdf
Виробник: Micro Commercial Components Corp.
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C~150°C; SI2305B-TP-HF; SI2305B-13P; SI2305B-TP TSI2305b-tp MCC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
200+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.