SI2307-TP MCC (Micro Commercial Components)
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.07 грн |
| 18+ | 17.40 грн |
| 100+ | 10.98 грн |
| 500+ | 7.69 грн |
| 1000+ | 6.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2307-TP MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI2307-TP за ціною від 5.38 грн до 31.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2307-TP | Micro Commercial Components (MCC) |
MOSFETs P-CHANNEL MOSFET |
на замовлення 6512 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2307-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -12A; 1.1W Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT23 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -12A Drain current: -2.7A Gate charge: 4.1nC On-state resistance: 138mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2333 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| SI2307-TP |
|
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs P-CHANNEL MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 6512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.14 грн |
| 18+ | 18.39 грн |
| 100+ | 10.06 грн |
| 500+ | 7.54 грн |
| 1000+ | 6.70 грн |
| 3000+ | 5.66 грн |
| 6000+ | 5.38 грн |
| SI2307-TP |
|
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -12A; 1.1W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -12A
Drain current: -2.7A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 138mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -12A; 1.1W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -12A
Drain current: -2.7A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 138mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 31.05 грн |
| 24+ | 18.07 грн |
| 100+ | 11.68 грн |
| 500+ | 8.32 грн |
| 1000+ | 7.06 грн |