Результат пошуку "si2307cds-t1-ge3." : 10
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 341
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 14
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2307CDS-T1-GE3 | VISHAY |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.2A Power dissipation: 1.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 138mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 4491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2307CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.138 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2307CDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2307CDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2307CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 34060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2307CDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2307CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 34060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2307CDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2307CDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2307CDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SI2307CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 33.84 грн |
| 15+ | 26.59 грн |
| 50+ | 22.76 грн |
| 75+ | 21.38 грн |
| 87+ | 10.42 грн |
| 238+ | 9.81 грн |
| 2500+ | 9.50 грн |
| SI2307CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.138 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.138 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.55 грн |
| 9000+ | 11.22 грн |
| SI2307CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.78 грн |
| SI2307CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.87 грн |
| SI2307CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 34060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 51.58 грн |
| 50+ | 34.33 грн |
| 100+ | 23.52 грн |
| 500+ | 17.63 грн |
| 1500+ | 13.09 грн |
| SI2307CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 341+ | 35.87 грн |
| 516+ | 23.65 грн |
| 522+ | 23.42 грн |
| 644+ | 18.28 грн |
| 1151+ | 9.47 грн |
| SI2307CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 34060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 23.52 грн |
| 500+ | 17.63 грн |
| 1500+ | 13.09 грн |
| SI2307CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 46.10 грн |
| 18+ | 33.69 грн |
| 25+ | 33.31 грн |
| 100+ | 21.18 грн |
| 250+ | 19.42 грн |
| 500+ | 15.08 грн |
| 1000+ | 8.44 грн |
| SI2307CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 34.11 грн |
| SI2307CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.