Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2307CDS-T1-GE3
SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2307cds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 95325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.95 грн
6000+11.43 грн
9000+10.90 грн
15000+9.67 грн
21000+9.34 грн
30000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.088 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI2307CDS-T1-GE3 за ціною від 9.59 грн до 61.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.088 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.85 грн
500+16.87 грн
1500+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Vishay doc68768.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
537+26.38 грн
658+21.50 грн
1000+19.34 грн
3000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Vishay doc68768.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.78 грн
34+22.54 грн
66+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY SI2307CDS-T1-GE3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 6.2nC
On-state resistance: 138mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4917 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.15 грн
22+20.02 грн
50+15.27 грн
100+13.74 грн
500+11.28 грн
1000+10.52 грн
3000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2307cds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 95468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.51 грн
10+32.91 грн
100+21.20 грн
500+15.16 грн
1000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2307cds.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.97 грн
10+35.34 грн
100+19.74 грн
500+15.01 грн
1000+13.53 грн
3000+11.63 грн
6000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY si2307cds.pdf Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
на замовлення 16341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.26 грн
50+36.18 грн
100+25.41 грн
500+17.94 грн
1500+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Vishay doc68768.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 Vishay si2307cds.pdf P-MOSFET 30V 3.5A 1.8W 88mΩ SI2307CDS Vishay TSI2307cds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.088 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+23.85 грн
500+16.87 грн
1500+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 doc68768.pdf
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
537+26.38 грн
658+21.50 грн
1000+19.34 грн
3000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 doc68768.pdf
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+28.78 грн
34+22.54 грн
66+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3.pdf
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 6.2nC
On-state resistance: 138mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4917 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
16+30.15 грн
22+20.02 грн
50+15.27 грн
100+13.74 грн
500+11.28 грн
1000+10.52 грн
3000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 si2307cds.pdf
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 95468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+55.51 грн
10+32.91 грн
100+21.20 грн
500+15.16 грн
1000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 si2307cds.pdf
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.97 грн
10+35.34 грн
100+19.74 грн
500+15.01 грн
1000+13.53 грн
3000+11.63 грн
6000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 si2307cds.pdf
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
на замовлення 16341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+61.26 грн
50+36.18 грн
100+25.41 грн
500+17.94 грн
1500+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 doc68768.pdf
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 si2307cds.pdf
Виробник: Vishay
P-MOSFET 30V 3.5A 1.8W 88mΩ SI2307CDS Vishay TSI2307cds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.