SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.74 грн |
| 6000+ | 11.25 грн |
| 9000+ | 10.73 грн |
| 15000+ | 9.52 грн |
| 21000+ | 9.19 грн |
| 30000+ | 8.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.088 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI2307CDS-T1-GE3 за ціною від 9.44 грн до 62.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2307CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2307CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2307CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.088 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2307CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 18321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2307CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2307CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2307CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.2A Gate charge: 6.2nC On-state resistance: 138mΩ Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape |
на замовлення 5122 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2307CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V |
на замовлення 95468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2307CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2307CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 17101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2307CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI2307CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
P-MOSFET 30V 3.5A 1.8W 88mΩ SI2307CDS Vishay TSI2307cds кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2370 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SI2307CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI2307CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |