SI2310-TP


SI2310(SOT-23).pdf
Код товару: 197195
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2310-TP за ціною від 3.18 грн до 29.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2310-TP SI2310-TP Micro Commercial Components si2310sot-23.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TP SI2310-TP Micro Commercial Components si2310sot-23.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TP SI2310-TP Micro Commercial Components si2310sot-23.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3668+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 3668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TP SI2310-TP MCC (Micro Commercial Components) SI2310(SOT-23).pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 30 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.42 грн
6000+5.60 грн
9000+5.30 грн
15000+4.66 грн
21000+4.47 грн
30000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TP SI2310-TP MCC (Micro Commercial Components) SI2310(SOT-23).pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 30 V
на замовлення 50154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.25 грн
17+17.49 грн
100+11.04 грн
500+7.73 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TP SI2310-TP Micro Commercial Components (MCC) SI2310(SOT-23).pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 15121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TP SI2310-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI2310(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2310-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TP SI2310-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI2310(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2310-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TP si2310sot-23.pdf
Виробник: Micro Commercial Components
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TP si2310sot-23.pdf
Виробник: Micro Commercial Components
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TP si2310sot-23.pdf
Виробник: Micro Commercial Components
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3668+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 3668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TP SI2310(SOT-23).pdf
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 30 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.42 грн
6000+5.60 грн
9000+5.30 грн
15000+4.66 грн
21000+4.47 грн
30000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TP SI2310(SOT-23).pdf
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 30 V
на замовлення 50154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.25 грн
17+17.49 грн
100+11.04 грн
500+7.73 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TP SI2310(SOT-23).pdf
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 15121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TP SI2310(SOT-23).pdf
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2310-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TP SI2310(SOT-23).pdf
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2310-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.