
SI2310K-TP MCC (Micro Commercial Components)

Description: SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V
на замовлення 29980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 27.79 грн |
19+ | 16.67 грн |
100+ | 10.46 грн |
500+ | 7.29 грн |
1000+ | 6.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2310K-TP MCC (Micro Commercial Components)
Description: SMALL SIGNAL MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI2310K-TP
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
SI2310K-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
![]() |
товару немає в наявності |
||
SI2310K-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
SI2310K-TP | Виробник : MCC (Micro Commercial Components) |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
SI2310K-TP | Виробник : Micro Commercial Components (MCC) |
![]() |
товару немає в наявності |