SI2318A UMW


b29bc0441c9bf532d0a24914f8daebcd.pdf
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2318A UMW

Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI2318A за ціною від 9.52 грн до 36.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2318A SI2318A UMW b29bc0441c9bf532d0a24914f8daebcd.pdf Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.25 грн
14+21.32 грн
50+15.45 грн
100+12.69 грн
500+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A b29bc0441c9bf532d0a24914f8daebcd.pdf
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.25 грн
14+21.32 грн
50+15.45 грн
100+12.69 грн
500+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.