SI2319-TP

SI2319-TP Micro Commercial Components


si2319sot-23.pdf Виробник: Micro Commercial Components
P-Channel MOSFET
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
546+13.81 грн
1000+7.83 грн
3000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 546
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2319-TP Micro Commercial Components

Description: MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-23, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 548 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI2319-TP за ціною від 5.72 грн до 29.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2319-TP SI2319-TP Виробник : Micro Commercial Components si2319sot-23.pdf P-Channel MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
819+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 819
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319-TP SI2319-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) SI2319_SOT_23_-3366095.pdf MOSFETs
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.28 грн
15+23.38 грн
100+13.87 грн
1000+8.07 грн
3000+6.83 грн
9000+6.09 грн
24000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319-TP Виробник : Micro Commercial Components si2319sot-23.pdf P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319-TP SI2319-TP Виробник : MCC (Micro Commercial Components) SI2319(SOT-23).pdf Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 548 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.