Продукція > MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS) > SI2321-TP
SI2321-TP

SI2321-TP MCC (Micro Commercial Components)

SI2321(SOT-23).pdf
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.51 грн
6000+5.76 грн
9000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2321-TP MCC (Micro Commercial Components)

Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2321-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI2321-TP за ціною від 6.64 грн до 30.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2321-TP SI2321-TP MCC (Micro Commercial Components) SI2321(SOT-23).pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.50 грн
17+18.00 грн
100+11.37 грн
500+7.96 грн
1000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321-TP SI2321-TP Micro Commercial Components (MCC) SI2321_SOT_23_-3423914.pdf MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 19705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321-TP SI2321-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI2321(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2321-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321-TP SI2321-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) SI2321(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2321-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321-TP SI2321(SOT-23).pdf
SI2321-TP
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.50 грн
17+18.00 грн
100+11.37 грн
500+7.96 грн
1000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321-TP SI2321_SOT_23_-3423914.pdf
SI2321-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 19705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321-TP SI2321(SOT-23).pdf
SI2321-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2321-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321-TP SI2321(SOT-23).pdf
SI2321-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2321-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.