SI2333-TP


SI2333(SOT-23).pdf
Код товару: 195120
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2333-TP за ціною від 4.29 грн до 32.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2333-TP SI2333-TP Виробник : MCC (Micro Commercial Components) SI2333(SOT-23).pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 1.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.15 грн
6000+5.36 грн
9000+5.08 грн
15000+4.47 грн
21000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP SI2333-TP Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI2333(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2333-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.71 грн
500+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP SI2333-TP Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI2333.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -6A; Idm: -20A; 1.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19597 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.59 грн
30+14.11 грн
100+8.58 грн
500+6.51 грн
1000+5.77 грн
3000+4.93 грн
6000+4.55 грн
9000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP SI2333-TP Виробник : MCC (Micro Commercial Components) SI2333(SOT-23).pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 1.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 21290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.10 грн
18+16.76 грн
100+10.59 грн
500+7.41 грн
1000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP SI2333-TP Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI2333(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2333-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+32.62 грн
41+20.08 грн
100+12.71 грн
500+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP Виробник : Micro Commercial Components Corp. SI2333(SOT-23).pdf Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 6A; 28mOhm; 0,35W; -55°C~150°C; SI2333-TP TSI2333
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP SI2333-TP Виробник : Micro Commercial Components si2333sot-23.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP SI2333-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) SI2333(SOT-23).pdf MOSFETs P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.