Продукція > MICRO COMMERCIAL COMPONENTS > SI2333-TP
SI2333-TP

SI2333-TP Micro Commercial Components

si2333sot-23.pdf Виробник: Micro Commercial Components
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 894000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2333-TP Micro Commercial Components

Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2333-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI2333-TP за ціною від 3.21 грн до 33.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2333-TP SI2333-TP Виробник : Micro Commercial Components si2333sot-23.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1416000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP SI2333-TP Виробник : Micro Commercial Components si2333sot-23.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 975000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.33 грн
6000+4.80 грн
9000+4.08 грн
15000+3.90 грн
21000+3.57 грн
30000+3.24 грн
75000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP SI2333-TP Виробник : Micro Commercial Components si2333sot-23.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 975000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.74 грн
6000+5.17 грн
9000+4.39 грн
15000+4.20 грн
21000+3.84 грн
30000+3.49 грн
75000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP SI2333-TP Виробник : MCC (Micro Commercial Components) SI2333(SOT-23).pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 1.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.17 грн
6000+5.57 грн
9000+4.82 грн
15000+4.39 грн
21000+4.25 грн
30000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP SI2333-TP Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI2333(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2333-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.96 грн
500+8.97 грн
1000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP SI2333-TP Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D90AB91473E0D3&compId=SI2333.pdf?ci_sign=c700634c1789a82236b9312ce37a3695cf0b5664 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -6A; Idm: -20A; 1.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.46 грн
32+12.26 грн
100+7.40 грн
243+3.72 грн
667+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP SI2333-TP Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D90AB91473E0D3&compId=SI2333.pdf?ci_sign=c700634c1789a82236b9312ce37a3695cf0b5664 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -6A; Idm: -20A; 1.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+25.75 грн
19+15.28 грн
100+8.88 грн
243+4.47 грн
667+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP SI2333-TP Виробник : MCC (Micro Commercial Components) SI2333(SOT-23).pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 1.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 40928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.04 грн
17+18.32 грн
100+11.57 грн
500+8.10 грн
1000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP SI2333-TP Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI2333(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2333-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.09 грн
41+20.38 грн
100+12.96 грн
500+8.97 грн
1000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP SI2333-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) SI2333_SOT_23_-3424209.pdf MOSFETs P-Channel MOSFET
на замовлення 8695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.47 грн
17+20.81 грн
100+11.48 грн
500+8.61 грн
1000+6.77 грн
3000+5.89 грн
6000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP Виробник : Micro Commercial Components Corp. SI2333(SOT-23).pdf Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 6A; 28mOhm; 0,35W; -55°C~150°C; SI2333-TP TSI2333
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP
Код товару: 195120
Додати до обраних Обраний товар

SI2333(SOT-23).pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP SI2333-TP Виробник : Micro Commercial Components si2333sot-23.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.