Продукція > VISHAY > SI2392BDS-T1-BE3
SI2392BDS-T1-BE3

SI2392BDS-T1-BE3 VISHAY

VISH-S-A0023658934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2392BDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.149 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.149ohm
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2392BDS-T1-BE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI2392BDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.149 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 1.7W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.149ohm.

Інші пропозиції SI2392BDS-T1-BE3 за ціною від 7.13 грн до 39.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2392BDS-T1-BE3 SI2392BDS-T1-BE3 VISHAY VISH-S-A0023658934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2392BDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.149 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.149ohm
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-BE3 Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+39.15 грн
13+24.17 грн
100+13.74 грн
500+9.98 грн
1000+9.01 грн
3000+8.11 грн
6000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-BE3 VISH-S-A0023658934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2392BDS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2392BDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.149 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.149ohm
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.15 грн
13+24.17 грн
100+13.74 грн
500+9.98 грн
1000+9.01 грн
3000+8.11 грн
6000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.