Продукція > VISHAY > SI2393DS-T1-BE3
SI2393DS-T1-BE3

SI2393DS-T1-BE3 VISHAY

VISH-S-A0023700490-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2393DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0227 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2393DS-T1-BE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI2393DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0227 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm.

Інші пропозиції SI2393DS-T1-BE3 за ціною від 7.30 грн до 78.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2393DS-T1-BE3 SI2393DS-T1-BE3 VISHAY VISH-S-A0023700490-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2393DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0227 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-BE3 Vishay Semiconductors si2393ds.pdf MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+78.47 грн
10+53.12 грн
100+29.27 грн
500+18.13 грн
1000+13.62 грн
3000+11.51 грн
6000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-BE3 VISH-S-A0023700490-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2393DS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2393DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0227 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-BE3 si2393ds.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.47 грн
10+53.12 грн
100+29.27 грн
500+18.13 грн
1000+13.62 грн
3000+11.51 грн
6000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.