Продукція > VISHAY > SI2399BDS-T1-GE3

SI2399BDS-T1-GE3 VISHAY


VISH-S-A0024282077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2399BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 5410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2399BDS-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI2399BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm.

Інші пропозиції SI2399BDS-T1-GE3 за ціною від 5.41 грн до 31.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2399BDS-T1-GE3 SI2399BDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0024282077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2399BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 5410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399BDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
10+31.62 грн
14+22.45 грн
100+12.16 грн
500+8.33 грн
1000+7.13 грн
3000+6.31 грн
6000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399BDS-T1-GE3 VISH-S-A0024282077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2399BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 5410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.62 грн
14+22.45 грн
100+12.16 грн
500+8.33 грн
1000+7.13 грн
3000+6.31 грн
6000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.