SI3134KDWAS-TP

SI3134KDWAS-TP Micro Commercial Components


si3134kdwassot363s.pdf Виробник: Micro Commercial Components
Dual N Channel MOSFET
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3134KDWAS-TP Micro Commercial Components

Description: DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT-363S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 260mW (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363S.

Інші пропозиції SI3134KDWAS-TP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3134KDWAS-TP SI3134KDWAS-TP Виробник : Micro Commercial Components si3134kdwassot363s.pdf Dual N Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3134KDWAS-TP SI3134KDWAS-TP Виробник : MCC (Micro Commercial Components) Description: DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT-363S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 260mW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.