Продукція > MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS) > SI3134KL3B-TP
SI3134KL3B-TP

SI3134KL3B-TP MCC (Micro Commercial Components)

SI3134KL3B(DFN1006-3A).pdf
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: N-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 16 V
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+24.35 грн
22+13.99 грн
100+8.74 грн
500+6.07 грн
1000+5.37 грн
2000+4.79 грн
5000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3134KL3B-TP MCC (Micro Commercial Components)

Description: N-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 900mW (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006-3A, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 16 V.

Інші пропозиції SI3134KL3B-TP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI3134KL3B-TP SI3134KL3B-TP MCC (Micro Commercial Components) SI3134KL3B(DFN1006-3A).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3134KL3B-TP SI3134KL3B-TP Micro Commercial Components (MCC) SI3134KL3B_DFN1006_3A_-3386052.pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3134KL3B-TP SI3134KL3B(DFN1006-3A).pdf
SI3134KL3B-TP
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: N-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 16 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3134KL3B-TP SI3134KL3B_DFN1006_3A_-3386052.pdf
SI3134KL3B-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.